华中科技大学机械科学与工程学院武汉光电国家实验室
- 作品数：6 被引量：31H指数：4
- 相关作者：刘华勇马子文吕黎胡畅更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 无压力辅助硅/玻璃激光局部键合被引量：6
- 2007年
- 提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响.实验表明,激光功率越大,扫描速度越小,键合线的宽度就越大.实验结果显示,该方法能有效减少键合片的残余应力,控制键合线宽,并能得到较好的键合强度.该工艺可为MEMS器件的封装与制造提供简洁、快速、键合区可选择的新型键合方法.
- 马子文汤自荣廖广兰史铁林聂磊
- 关键词：MEMS激光键合表面活化
- 高黏度微量喷射系统的实验研究被引量：8
- 2010年
- 在微电子封装技术发展过程中,封装用胶的分配技术正从接触式向非接触式过渡,尤其是作为非接触式分配技术代表的微滴喷射技术的出现,使高精度按需分配成为可能,而高性能的封装用胶一般具有较高的黏度,采用传统的非接触式分配技术并不能满足其黏度特性要求.本文通过研究,提出了一种机械式高黏度流体微量喷射系统,其核心是通过阀杆相对于阀座的运动,带动并将一部分流体从喷嘴中挤出.通过实验研究发现,影响该系统喷射质量的主要因素包括阀杆的行程、气缸驱动压力、弹簧预压、供料腔背压以及流体工作温度等.本文在研究中采用0.2mm不锈钢喷嘴,得到了最小直径为0.35mm的胶点.
- 舒霞云张鸿海刘华勇谢丹肖峻峰
- 关键词：微电子封装
- 基于GHSOM网络的时间序列聚类方法被引量：1
- 2007年
- 提出了一种基于增长型分层自组织映射(GHSOM)的时间序列聚类方法,给出了该方法的基本原理和具体算法步骤,对实测时间序列数据进行了聚类验证和分析。研究结果表明,增长型分层自组织映射能根据对象特征无监督地对时间序列进行正确聚类,由于具有动态增长及分层特性,能分析对象内在的层次结构并实现由粗到精的聚类,可以扩展应用于大型乃至巨量时间序列数据库的模式发现。
- 刘世元吕黎
- 关键词：时间序列聚类
- 晶片直接键合所需表面粗糙度条件被引量：4
- 2007年
- 根据JKR接触理论,推导出晶片直接键合时晶片接触表面粗糙度需要满足的条件,其中晶片接触表面粗糙度的描述是基于缝隙长度和缝隙高度的正弦波模型.分析结果表明,晶片直接键合的条件与无量纲参数α有关.以硅片键合为例,根据参数α可以把硅片键合分为三种类型硅片直接键合(α>1.065);在外压力作用下键合(0.57<α<1.065)和有空洞产生的键合(α<0.57).实验数据与理论结果吻合得很好.
- 马子文汤自荣廖广兰史铁林
- 关键词：直接键合
- 应用于MEMS封装的TSV工艺研究被引量：10
- 2012年
- 开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 nm Ti黏附阻挡层和1μm Cu种子层;使用硫酸铜和甲基磺酸铜体系电镀液电镀填充通孔,比较了双面电镀和自下而上电镀工艺;最终获得了硅片厚度370μm、通孔直径60μm TSV加工工艺。测试结果证明:样品TSV无孔隙;其TSV电阻值小于0.01Ω;样品气密性良好。
- 王宇哲汪学方徐明海吕植成徐春林胡畅王志勇刘胜
- 关键词：刻蚀电镀
- 激光键合的有限元仿真及工艺参数优化被引量：2
- 2007年
- 在硅/玻璃激光键合中,温度场的分布是影响晶片能否键合的关键因素.本文利用有限元法建立了移动高斯热源作用下硅/玻璃激光键合的三维温度场数值分析模型.运用该模型计算了不同的工艺参数条件下硅/玻璃的温度场分布,并由此得出键合线宽.然后通过漏选试验确定影响激光键合的主要工艺参数有激光功率、激光扫描速度及键合初始温度.最后通过对仿真结果进行回归分析,得到激光键合工艺的最优参数,为进一步研究激光键合工艺提供了理论依据.
- 马子文汤自荣廖广兰史铁林聂磊周平
- 关键词：激光键合有限元法
