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校际微电子中心

作品数：29 被引量：0H指数：0
相关机构：NXP股份有限公司栗田工业株式会社布鲁塞尔自由大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术生物学电子电信化学工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 28篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇生物学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 9篇相变
  • 7篇相变材料
  • 7篇半导体
  • 6篇相变存储
  • 6篇存储器
  • 5篇电阻
  • 5篇叠层
  • 5篇存储器单元
  • 4篇电流
  • 4篇有源
  • 4篇晶体管
  • 4篇绝缘
  • 4篇基极
  • 4篇集电极
  • 4篇半导体器件
  • 3篇转换器件
  • 3篇温度
  • 3篇相变存储器
  • 3篇编程
  • 3篇PCM

机构

  • 29篇校际微电子中...
  • 16篇NXP股份有...
  • 2篇栗田工业株式...
  • 1篇西北工业大学
  • 1篇布鲁塞尔自由...
  • 1篇NXP有限公...
  • 1篇丰田自动车株...

作者

  • 1篇蒋冬梅
  • 1篇王哲
  • 1篇胡丽芳
  • 1篇骞爱荣

传媒

  • 1篇陕西师范大学...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 6篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2006
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
垂直相变存储单元
一种垂直相变存储单元(2)具有相变存储材料的有源区(24)，通过提供仅在相变存储材料的一部分上延伸的接触或者仅使相变存储材料一部分外露的绝缘层，来限定有源区(24)。每个单元可以有多于一个的有源区(24)，从而允许在每个...
卢多维克·R·A·古大卫·I·马德恩
文献传递
半导体器件和生产这种器件的方法
本发明涉及一种具有衬底(11)和半导体主体(1)的半导体器件(10)，该器件包括具有依次排列的集电极区域(2)、基极区域(3)和发射极区域(4)的双极晶体管，其中，半导体主体包括突出的台面(5)，该台面至少包括基极区域(...
埃尔文·海曾约斯特·梅拉伊韦伯·D·范诺尔特约翰内斯·J·T·M·东科尔斯菲利皮·默尼耶-尼拉尔德安德列亚斯·M·皮翁特克L·J·蔡斯特凡·范胡林布罗伊科
文献传递
非易失性存储器件
存储器件包括存储数据的存储单元阵列和向存储单元施加电压来把数据写入存储单元的电压施加单元。每个存储单元都具有包含铜的第一层，所述第一层与包含硫系材料的第二层接触。电压施加单元被布置成通过在第一阻态与第二较低阻态之间切换每...
卢多维克·古克斯朱迪思·里索尼托马斯·吉勒德克·武泰斯
文献传递
Ge、SiGe或锗化物的洗涤方法
在制造半导体装置时的Ge、SiGe或锗化物层的洗涤工序中，不会溶解Ge、SiGe或锗化物而有效率地洗涤去除抗蚀剂、金属残渣。洗涤液使用硫酸浓度为90重量％以上且氧化剂浓度为200g/L以下的硫酸溶液。洗涤液可举出：将硫酸...
颜畅子永井达夫法里德·赛巴伊库尔特·沃斯汀
文献传递
非易失性存储器件
存储器件包括存储数据的存储单元阵列和向存储单元施加电压来把数据写入存储单元的电压施加单元。每个存储单元都具有包含铜的第一层，所述第一层与包含硫系材料的第二层接触。电压施加单元被布置成通过在第一阻态与第二较低阻态之间切换每...
卢多维克·古克斯朱迪思·里索尼托马斯·吉勒德克·武泰斯
半导体器件和生产这种器件的方法
本发明涉及一种具有衬底(11)和半导体主体(1)的半导体器件(10)，该器件包括具有依次排列的集电极区域(2)、基极区域(3)和发射极区域(4)的双极晶体管，其中，半导体主体包括突出的台面(5)，该台面至少包括基极区域(...
埃尔文·海曾约斯特·梅拉伊韦伯·D·范诺尔特约翰内斯·J·T·M·东科尔斯菲利皮·默尼耶-尼拉尔德安德列亚斯·M·皮翁特克L·J·蔡斯特凡·范胡林布罗伊科
文献传递
Ge、SiGe或锗化物的洗涤方法
在制造半导体装置时的Ge、SiGe或锗化物层的洗涤工序中，不会溶解Ge、SiGe或锗化物而有效率地洗涤去除抗蚀剂、金属残渣。洗涤液使用硫酸浓度为90重量％以上且氧化剂浓度为200g/L以下的硫酸溶液。洗涤液可举出：将硫酸...
颜畅子永井达夫法里德·赛巴伊库尔特·沃斯汀
制造双极型晶体管的方法
本发明涉及一种在半导体衬底(11)上制造双极型晶体管的方法，所述半导体衬底(11)上形成有分别由均为第一导电类型的第一、第二和第三半导体材料构成的第一、第二和第三层(1，2，3)。将第二层(2)的第一部分转换为包括第一电...
维波·D·范诺特简·松斯基安德里亚斯·M·皮昂特克
文献传递
纵向相变存储器单元及其制造方法
本发明公开了一种纵向相变存储器(PCM)单元，其包括与第一相变材料层(14)相接触的底部电极(5)、具有开口(13)的电介质材料层(12)、通过电介质层中的开口与第一相变材料层相接触的第二相变材料层(6)、和与该第二相变...
卢多维克·古克斯德克·J·C·C·M·武泰斯朱迪思·G·里索尼·雷耶斯托马斯·吉勒
文献传递
在PCM单元及由其得到的器件中控制“首先熔化”区域的方法
提供了一种相变存储单元，其包括形成在第一相变材料中的两个隔离区域，其中这两个隔离区域通过形成在第二相变材料中的区域连接起来。所述第二相变材料的结晶温度低于所述第一相变材料的结晶温度。通过利用能够在较低的温度下切换相位的第...
卢多维克·古克斯德古·武泰斯朱迪思·里索尼托马斯·吉勒
文献传递
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