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多种材料上金刚石膜的成核和生长研究被引量：1: 1997年; 采用改进的热丝化学气相沉积(AHFCVD)装置,在四类六种不同性质衬底材料(W、Mo、Cu、Si、SiO_2、Al_2O_3)上研究了金刚石膜成核与生长特性。研究了基片材料特性(如材料的结晶特性、晶格常数、热膨胀系数、化学性质等)、沉积条件及基片预处理对金刚石膜成核与生长特性的影响。实验结果表明,在六种不同性质的材料上都能生长多晶金刚石膜,与是否形成碳化物中间层无关。反应气压、衬底温度和CH_4/H_2比例对其形貌、质量、成核密度的影响趋势是一致的,但也有它们各自的特点。对提高金刚石膜的质量及膜与基片的结合强度提出了一些改进措施。; 邱东江石成儒曾耀武郝天亮庞国锋; 关键词：金刚石膜成核化学气相沉积镀膜衬底

低压等离子体结合热解法制备金刚石膜: 1995年; 金刚石膜具有与天然金刚石相似的优异特性，预计会有十分广阔的应用前景．本文介绍了一种新颖的金刚石膜生长技术─—强流电子增强化学气相沉积法（ＩＥＣＶＤ），它结合了传统的热丝法和等离子体法各自的优点，成为一种具有较高生长速率，能够制备大面积均匀金刚石膜的技术．对用这种方法制备的金刚石膜进行了喇曼、扫描电镜和Ｘ－Ｒａｙ衍射分析，并对这项技术的优点作了阐述．; 庞国锋石成儒韩惠雯; 关键词：金刚石等离子体法热解法低压

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杭州大学特种材料研究所