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国家科技重大专项(2009ZX02035)

作品数：2 被引量：3H指数：1
相关作者：骆志炯刘佳赵利川闫江更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域：电子电信更多>>

领域

  • 4个电子电信
  • 2个自动化与计算...
  • 2个文化科学
  • 1个经济管理
  • 1个化学工程
  • 1个一般工业技术
  • 1个理学

主题

  • 4个自对准
  • 4个晶体管
  • 4个刻蚀
  • 3个导电
  • 3个导体
  • 3个电容
  • 3个电阻
  • 3个淀积
  • 3个叠层
  • 3个短沟道
  • 3个短沟道效应
  • 2个氮化
  • 2个氮化硅
  • 2个导电材料
  • 2个等离子体刻蚀
  • 2个电极
  • 2个电介质
  • 2个电介质材料
  • 2个电路
  • 2个电迁移

机构

  • 4个中国科学院微...
  • 1个清华大学

资助

  • 4个国家科技重大...
  • 2个中国科学院“...
  • 1个国家重点基础...

传媒

  • 4个微电子学
  • 3个半导体技术
  • 2个2013‘全...
  • 1个低温物理学报
  • 1个中国科技成果
  • 1个微纳电子技术
  • 1个东北石油大学...

地区

  • 4个北京市
共 4 条 记 录，以下是 1-4
骆志炯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 半导体结构 沟道 堆叠 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵利川
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：料层 场效应晶体管 金属硅化物 穿通 选择性刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫江
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 掩模 栅极 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘佳
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氧化层 半导体器件 半导体结构 刻蚀 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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