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国家重点基础研究发展计划(G2000-036503)

作品数：7 被引量：5H指数：2
相关作者：谭长华许铭真张贺秋毛凌锋赵要更多>>
相关机构：北京大学更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

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地区

  • 5个北京市
  • 1个江苏省
  • 1个辽宁省
共 7 条 记 录，以下是 1-7
谭长华
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 MOSFET 软击穿 半导体器件 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许铭真
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 MOSFET 半导体器件 可靠性 软击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛凌锋
供职机构：苏州大学
研究主题：FN振荡电流 直接隧穿 场效应晶体管 MOS结构 ULTRATHIN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张贺秋
供职机构：大连理工大学
研究主题：脉冲激光沉积 ZNO薄膜 氧化镓 欧姆接触电极 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵要
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子学系
研究主题：PMOSFETS V 可靠性 热载流子效应 HALO结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡靖
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：PMOSFETS V MOSFET LIFETIME DEGRADATION
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
霍宗亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 沟道 闪存 介质层 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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