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国家高技术研究发展计划(2001AA313110)
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张国义
陆敏
胡晓东
章蓓
陈志忠
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张国义
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
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章蓓
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 激光剥离 发光二极管 氮化镓 半导体
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胡晓东
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:GAN 氮化镓 GAN基激光器 氮化物 MOCVD
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陆敏
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:GAN MOCVD 氮化镓 MOCVD生长 缓冲层
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陈志忠
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 发光二极管 衬底 出光效率
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杨志坚
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底
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秦志新
供职机构:北京大学
研究主题:位错 氮化镓 ALGAN ALN 欧姆接触
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胡成余
供职机构:北京大学
研究主题:欧姆接触 P-GAN 激光剥离 氮化镓 NI/AU
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王琦
供职机构:北京大学
研究主题:存储介质 电子设备 纹理 图像处理技术 时域
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潘尧波
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 出光效率 成核 MOCVD生长 激光剥离
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