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国家重点基础研究发展计划(2011CBA00601)

作品数：7 被引量：5H指数：1
相关作者：黎明张兴黄如安霞林猛更多>>
相关机构：北京大学更多>>
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领域

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地区

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共 9 条 记 录，以下是 1-9
李志强
供职机构：北京大学
研究主题：锗 界面态密度 淀积 衬底 NMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄如
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 沟道 晶体管 存储器 超大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黎明
供职机构：北京大学
研究主题：晶体管 半导体结构 倒片 沟道 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
安霞
供职机构：北京大学
研究主题：锗 沟道 超大规模集成电路 场效应晶体管 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
云全新
供职机构：北京大学
研究主题：锗 场效应晶体管 迁移率 沟道 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭岳
供职机构：北京大学
研究主题：锗 超大规模集成电路 衬底材料 NMOS器件 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张兴
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 集成电路 沟道 电路 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘朋强
供职机构：北京大学
研究主题：锗 淀积 衬底 化物 界面态密度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林猛
供职机构：北京大学
研究主题：锗 衬底 界面态密度 淀积 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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