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国防科技技术预先研究基金(51308040301)

作品数：2 被引量：6H指数：1
相关作者：郝跃张进成张金凤郑鹏天段焕涛更多>>
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领域

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主题

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  • 9个GAN
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  • 8个ALGAN/...
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机构

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资助

  • 10个国防科技技术...
  • 10个国家自然科学...
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  • 7个国防基础科研...
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传媒

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  • 5个中国科学：信...
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地区

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  • 1个江苏省
  • 1个山东省
共 10 条 记 录，以下是 1-10
张进成
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SUB 成核 势垒层 氮化镓 电极
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郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
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董作典
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：HEMT器件 A1GAN/GAN 成核 ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
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郑鹏天
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：HEMT器件 A1GAN/GAN 成核 双异质结 载流子
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李志明
供职机构：济南大学信息科学与工程学院
研究主题：MOCVD 温度场 氮化物 非极性 均匀性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李培咸
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 蓝宝石衬底 多量子阱 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王昊
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：MOCVD 衬底 捕获性能 GAN 高阶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段焕涛
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 二维电子气 HEMTS ALGAN/GAN异质结 电学特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金凤
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN GAN 高电子迁移率晶体管 二维电子气 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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