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高等学校科技创新工程重大项目(708083)

作品数：24 被引量：47H指数：4
相关作者：刘红侠曹磊卓青青袁博匡潜玮更多>>
相关机构：西安电子科技大学湖南科技大学更多>>
发文基金：高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

领域

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主题

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  • 12个淀积
  • 12个异质结
  • 12个晶体管
  • 11个信号
  • 11个应变SI
  • 11个可靠性
  • 10个短沟道
  • 10个原子层淀积
  • 10个探测器
  • 9个短沟道效应
  • 9个氧化物半导体
  • 9个网络
  • 8个低功耗
  • 8个应变硅
  • 7个调制
  • 7个调制器

机构

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  • 1个电子科技大学
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  • 1个西南科技大学
  • 1个中国人民解放...
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资助

  • 32个国家自然科学...
  • 32个高等学校科技...
  • 21个中央高校基本...
  • 17个国家教育部博...
  • 11个西安应用材料...
  • 10个教育部“新世...
  • 8个国家部委预研...
  • 7个国防科技技术...
  • 6个国家杰出青年...
  • 5个国家高技术研...
  • 5个国家重点基础...
  • 3个教育部科学技...
  • 3个博士科研启动...
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  • 2个国家科技攻关...
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传媒

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地区

  • 28个陕西省
  • 2个湖南省
  • 1个四川省
  • 1个重庆市
共 32 条 记 录，以下是 1-10
刘红侠
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 总剂量 抗辐照 电路 栅氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卓青青
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SOI NMOS器件 总剂量效应 总剂量 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁博
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：乘法器 低功耗 图像 肤色区域 逻辑单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹磊
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：隐私 SOI_MOSFET 高K栅介质 势垒 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
匡潜玮
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALD 高K栅介质 原子层淀积 HFO 材料特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高博
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：P-I-N MESH结构 TDR 边界值 过孔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡惠民
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SOI NMOS器件 总剂量辐照效应 碰撞电离 参考源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭里
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：SOI PD_SOI NMOS器件 NMOS 总剂量辐照效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴笑峰
供职机构：湖南科技大学信息与电气工程学院
研究主题：教学 实践教学 栅氧化层 光纤通信 MULTISIM
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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