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国家重点基础研究发展计划(G2000068304)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：齐鸣刘训春苏树兵刘新宇王润梅更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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地区

  • 4个北京市
  • 2个上海市
共 6 条 记 录，以下是 1-6
徐安怀
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：INP DHBT 磷化铟 异质结双极晶体管 气态源分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王润梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：异质结双极晶体管 GAAS 自对准 INGAP/GAAS_HBT ICP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苏树兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：DHBT INP INP/INGAAS HBT MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐鸣
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：氮化镓 氢化物气相外延 阳极氧化铝 磷化铟 厚膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘训春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：晶体管 HBT 电子束曝光 显影 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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