国家科技重大专项(022011ZX02702)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 相关作者：汪红丁桂甫张振杰李君翊王慧颖更多>>
- 相关机构：上海新阳半导体材料股份有限公司上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 基于单轴微拉伸的TSV铜力学性能研究被引量：1
- 2012年
- 电子产品的微型化趋势使芯片的三维集成概念应运而生,并通过硅通孔(TSV-through silicon via)技术得以实现.为了测试TSV中互连铜(Cu-TSV)的力学性能,提出了1个简便、易于操作的单轴微拉伸方法.利用有限元分析优化设计Cu-TSV微拉伸试样的支撑框架结构,有效减小试样在制作及操作过程中的损伤;种子层采用溅射Ti膜取代传统的溅射Cr/Cu膜,减小了电镀过程中的应力,避免了对种子层碱性刻蚀时对试样的腐蚀;采用单轴微拉伸系统对优化设计与制备的Cu-TSV微拉伸试样进行测试.经测试得到的Cu-TSV的杨氏模量与抗拉强度为25.4～32.9GPa和574～764MPa.
- 李君翊汪红王溯王慧颖程萍张振杰丁桂甫
- 关键词：微拉伸
- 硅通孔润湿性能影响因素的模拟仿真
- 2014年
- 使用Fluent流场仿真软件模拟了电镀液对硅通孔(TSV)的浸润过程,讨论了TSV深宽比、电镀液流速、电镀液表面张力、接触角以及压强等因素对TSV浸润过程的影响.通过对比仿真寻找出能在电镀之前使电镀液完全浸润TSV所有表面的预润湿处理方法,以防止因润湿不彻底在TSV底部形成气泡而导致的有空洞电镀填充.通过仿真发现,电镀液表面张力越小,电镀液与待电镀样片表面的接触角越小,浸润过程中电镀液的流速越慢,浸润所处环境的压强越低,则越有利于电镀液对TSV的浸润;且流速为0.002 m/s时即可对深宽比低于或等于130μm:30μn的TSV实现完全浸润;浸润环境压强低于3 000 Pa时即可在流速为0.05 m/s时对深宽比为150μm:50μm的TSV基本实现完全浸润.当TSV结构的深宽比大于2的时候,没有经过预润湿而直接放入电镀液的TSV结构很难实现无空洞电镀填充.
- 王昭瑜岳恒王溯王艳汪红丁桂甫赵小林
- 硅通孔润湿性能影响因素的模拟仿真
- 本文使用Fluent流场仿真软件模拟了电镀液对硅通孔（TSV）的浸润过程,讨论了TSV深宽比、电镀液流速、电镀液表面张力、接触角以及压强等主要影响因素。通过对比仿真寻找出能在电镀之前使电镀液完全浸润TSV所有表面的预润湿...
- 王昭瑜岳恒王溯王艳汪红丁桂甫赵小林
- 关键词：TSVFLUENT接触角
- 文献传递
