张正选
作品数: 132被引量:138H指数:7
  • 所属机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 所在地区:上海市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

贺威
作品数:137被引量:54H指数:4
供职机构:深圳大学
研究主题:氮化镓 肖特基二极管 沟道 单粒子翻转 绝缘体上硅
张恩霞
作品数:46被引量:20H指数:2
供职机构:上海工程技术大学材料工程学院
研究主题:SOI SIMOX 绝缘体上硅 SOI材料 抗辐照
毕大炜
作品数:30被引量:16H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 沟道 总剂量 沟槽隔离 SOI材料
陈明
作品数:42被引量:156H指数:7
供职机构:中国科学院
研究主题:总剂量辐射效应 SOI 沟道 总剂量辐射 总剂量
王曦
作品数:527被引量:250H指数:9
供职机构:清华大学
研究主题:衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响被引量:1
2013年
本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显.论文利用电荷守恒定律很好地解释了辐照增强的窄沟道效应.另外,本文首次发现,对于工作在线性区的窄沟道器件,辐照产生的浅沟槽隔离氧化物(STI)陷阱正电荷会增加沟道区载流子之间的碰撞概率和沟道表面粗糙度散射,从而导致主沟道晶体管的载流子迁移率退化以及跨导降低.最后,对辐照增强的窄沟效应以及迁移率退化进行了三维器件仿真模拟,仿真结果与实验结果符合得很好.
宁冰旭胡志远张正选毕大炜黄辉祥戴若凡张彦伟邹世昌
关键词:SOI
一种抗单粒子翻转的SOI器件结构被引量:1
2006年
介绍了SOI器件的可偏压隔离阱结构,对这种结构抗单粒子翻转的可能性进行了分析,对采用此结构的反相器的抗单粒子翻转性能利用器件模拟软件Medici和电路模拟软件Hspice进行了模拟.最后对基于可偏压隔离阱的抗单粒子翻转器件的应用给予了讨论.
贺威张正选
关键词:单粒子翻转SOICMOS
低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜被引量:3
2004年
 采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。
江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选宋志棠柳襄怀郑里平
关键词:离子束辅助沉积
BF2^+注入硅栅PMOSFETγ辐照效应被引量:2
1995年
本文系统地研究了BF2^+注入硅栅PMOSFET阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了BF2^+注入抗γ辐照加固的机理。结果表明,BF2^+注入是一种抗γ辐照加固的新方法。
张廷庆刘家璐张正选赵元富
关键词:离子注入Γ辐照
^(90)Sr-^(90)Y源辐射剂量场的测量及计算被引量:1
2001年
采用 Li F薄膜和 Ca F2 :Mn剂量片 ,对以90 Sr- 90 Y作为辐射源的半导体辐照效应模拟装置中的剂量进行了实验测量 ,并用经验公式计算了相应的辐射剂量场分布。实验测量和理论计算数据之间的偏差分析结果表明 ,用 L i F薄膜测量90 Sr- 90
吴国荣周辉张正选林东生郭红霞彭宏伦
关键词:Β源锶90钇90辐射源
BF_2^+注入多晶硅栅的SIMS分析被引量:1
1994年
文本采用SIMS技术,分析了BF_2^+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO_2中的迁移特性。结果表明,80keV,2×10^(15)和5×10^(15)cm^(-2) BF_2^+注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO_a中。F在多晶硅和SiO_2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。
刘家璐张廷庆张正选赵元富
关键词:三氟化硼硅栅SIMS
一种高速低功耗抗双节点翻转锁存器
本实用新型涉及一种高速低功耗抗双节点翻转锁存器,包括第一传输门、第二传输门、第三传输门、第四传输门、自恢复模块、钟控反相器和钟控MCE;所述第一传输门、第二传输门、第三传输门、第四传输门的输入端均与输入数据端相连,所述自...
陈卓张正选毕大炜胡志远
NMOS晶体管的退火特性研究被引量:1
2000年
探讨了加固型CC4 0 0 7经60 Coγ射线辐照后NMOS晶体管的退火特性 ,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总剂量辐照的器件 ,高温 10 0℃下的退火速度远大于室温 2 5℃下的退火速度。 2 5~ 2 50℃下的等时退火 ,其退火程度接近 168h的 10 0℃等温退火。对不同的退火情况 ,退火偏置的作用是相似的 ,+5V栅偏压退火速度大于0V栅偏压和浮空退火速度。对氧化物陷阱电荷的退火及界面态陷阱的产生机理进行了分析 ,并对加速实验方法进行了初步探讨。
姚育娟张正选彭宏论何宝平姜景和
关键词:等温退火NMOS晶体管电离辐照
一种双栅SOI器件结构及其制作方法
本发明提供一种双栅SOI器件结构及其制作方法,该结构包括SOI衬底及形成于SOI衬底中并通过浅沟槽隔离结构隔离的MOS晶体管;所述MOS晶体管包括栅极、源极、漏极、栅极接触、源极接触及漏极接触;所述MOS晶体管还包括背栅...
胡志远张正选宁冰旭毕大炜彭超邹世昌
文献传递
氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗
2006年
提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料。经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全。透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛。研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键。
陈志君张峰王永进金波陈静张正选王曦
关键词:注氧隔离