毕大炜
作品数: 30被引量:16H指数:2
  • 所属机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 所在地区:上海市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家科技重大专项

相关作者

张正选
作品数:132被引量:138H指数:7
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
胡志远
作品数:24被引量:14H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 沟道 沟槽隔离 总剂量效应 深亚微米器件
邹世昌
作品数:200被引量:245H指数:9
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
陈明
作品数:42被引量:156H指数:7
供职机构:中国科学院
研究主题:总剂量辐射效应 SOI 沟道 总剂量辐射 总剂量
宁冰旭
作品数:20被引量:11H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:沟道 沟槽隔离 SOI 深亚微米器件 微米