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向鹏飞

作品数:13 被引量:13H指数:2
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

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23 条 记 录,以下是 1-10
袁安波
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 刻蚀 光刻 选择比 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨修伟
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 刻蚀 选择比 光刻 阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建威
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 光刻 选择比 刻蚀 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓涛
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 光刻 光刻工艺 ITO薄膜 选择比
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李仁豪
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 电荷耦合器件 TDI 读出电路 表面光电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙飞
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD TDI 高分辨率 可见光CCD 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
廖乃镘
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:电荷耦合器件 CCD 氢化非晶硅薄膜 非晶硅 A-SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曲鹏程
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 电荷耦合器件 选择比 刻蚀 图像传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈红兵
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD CCD器件 电荷耦合器件 CCD图像传感器 成像传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阙蔺兰
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:多晶硅 LPCVD CCD 电荷耦合器件 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共3页<123>
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