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杨巍

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
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于祥潞
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：HVPE 蓝宝石衬底 成核 表面形貌 氮化镓
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徐永宽
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：HVPE GAN 氮化镓 氢化物气相外延 DAST
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程红娟
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：晶体 HVPE 氮化镓 单晶 DAST
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赖占平
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：砷化镓 GAAS单晶 半绝缘砷化镓 集成电路 SI-GAAS材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严如岳
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：氮化物 XPS XPS研究 衬底 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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