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陈海波

作品数：11 被引量：24H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

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共 18 条 记 录，以下是 1-10
洪根深
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 反熔丝 总剂量 单粒子 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢儒彬
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 单粒子 总剂量 总剂量辐射 场区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾祥
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 SOI器件 SOI工艺 抗ESD 接触孔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李艳艳
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：NMOS器件 总剂量效应 SOI 场区 STI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾吉
供职机构：东南大学
研究主题：探针卡 测试系统 辐照 晶圆 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐海铭
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 半导体功率器件 抗辐射 淀积 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘远
供职机构：广东工业大学
研究主题：低频噪声 薄膜晶体管 电路 MOS器件 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
恩云飞
供职机构：工业和信息化部电子第五研究所
研究主题：可靠性 集成电路 单粒子效应 木马 电迁移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
岳龙
供职机构：工业和信息化部电子第五研究所
研究主题：GAAS/GE太阳电池 带电粒子 辐照损伤 绝缘体上硅 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑良晨
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 半导体工艺 淀积 光刻 极板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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