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高建峰

作品数：118 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 纳米线 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 衬底 半导体器件 化学机械平坦化 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 金属硅化物 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘卫兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：红外光源 MEMS 图形化 金属电极 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李永亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 半导体 晶体管 源区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺晓彬
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 光刻胶 电子束曝光 电子束 掩模
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛海央
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：热电堆 纳米 MEMS 红外光源 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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