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何伟伟

作品数：60 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

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地区

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共 11 条 记 录，以下是 1-10
陈静
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 阈值电压 SOI 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗杰馨
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 阈值电压 SOI 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 离子注入 SOI 硅 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕凯
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：阈值电压 驱动电流 本征 栅氧化层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄建强
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：阈值电压 驱动电流 本征 栅氧化层 P型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴展
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 阈值电压 驱动电流 SOI 本征
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伍青青
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 SOI 芯片面积 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林泽
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：螺旋电感 电感 扩散 屏蔽环 屏蔽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨燕
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：场效应晶体管 MOSFET 版图设计 功率增益 驱动电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王硕
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：浮体效应 抗噪声能力 晶体管 阈值电压 总剂量辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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