您的位置： 专家智库 > >

郑红军

作品数：27 被引量：31H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

领域

  • 25个电子电信
  • 19个理学
  • 13个电气工程
  • 13个一般工业技术
  • 12个机械工程
  • 7个自动化与计算...
  • 6个化学工程
  • 5个经济管理
  • 5个文化科学
  • 4个金属学及工艺
  • 4个环境科学与工...
  • 4个农业科学
  • 3个动力工程及工...
  • 3个轻工技术与工...
  • 3个核科学技术
  • 2个天文地球
  • 2个建筑科学
  • 2个交通运输工程
  • 2个医药卫生
  • 2个语言文字

主题

  • 22个砷化镓
  • 22个GAAS
  • 20个半导体
  • 18个单晶
  • 18个晶体
  • 17个晶片
  • 15个SI
  • 14个损伤层
  • 14个抛光晶片
  • 14个衬底
  • 13个导体
  • 13个抛光
  • 12个性能研究
  • 12个亚表面损伤层
  • 12个亚表面
  • 11个均匀性
  • 10个射线
  • 10个X射线
  • 8个电学
  • 6个电学性质

机构

  • 27个中国科学院
  • 4个北京师范大学
  • 2个南开大学
  • 2个清华大学
  • 2个同济大学
  • 2个中国科学院大...
  • 1个河南大学
  • 1个四川师范大学
  • 1个中国科技大学
  • 1个中国石油天然...
  • 1个中山大学
  • 1个中国科学技术...
  • 1个中国石油大学...
  • 1个中国科学院研...
  • 1个中国地震局
  • 1个中国石油勘探...
  • 1个信息产业部
  • 1个中国电子学会
  • 1个中国石油天然...
  • 1个国家光电子工...

资助

  • 17个国家自然科学...
  • 9个国家重点基础...
  • 7个国家高技术研...
  • 4个中国博士后科...
  • 4个北京市科技计...
  • 4个国家杰出青年...
  • 4个中国科学院院...
  • 4个中国科学院知...
  • 3个国家教育部博...
  • 3个国家攀登计划
  • 3个国家重点实验...
  • 3个中国科学院知...
  • 2个教育部留学回...
  • 2个“九五”国家...
  • 2个国际科技合作...
  • 2个国家电网公司...
  • 2个香港特区政府...
  • 1个北京市自然科...
  • 1个福建省自然科...
  • 1个广东省自然科...

传媒

  • 22个Journa...
  • 13个固体电子学研...
  • 12个第十四届全国...
  • 10个稀有金属
  • 10个功能材料与器...
  • 9个发光学报
  • 8个物理学报
  • 8个全国化合物半...
  • 7个红外与毫米波...
  • 7个首届中国功能...
  • 7个中国有色金属...
  • 6个人工晶体学报
  • 6个第八届全国固...
  • 5个科学通报
  • 4个光电子．激光
  • 4个红外与激光工...
  • 4个物理
  • 4个中国科学（A...
  • 4个第一届全国纳...
  • 3个半导体技术

地区

  • 27个北京市
共 27 条 记 录，以下是 1-10
卜俊鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 抛光晶片 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
惠峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 抛光晶片 GAAS SI-GAAS 晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱蓉辉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：抛光晶片 微缺陷 晶片 GAAS 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵冀
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：抛光晶片 微缺陷 晶片 GAAS 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹玉华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 亚表面损伤层 抛光晶片 抛光 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宏家
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SI-GAAS 半绝缘 GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴让元
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 SI-GAAS GAAS 化学机械抛光 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高永亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：微缺陷 VGF LEC 单晶生长 温控设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白玉柯
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：化学腐蚀 均匀性 GAAS 晶片 磨片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0