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张绵

作品数：6 被引量：14H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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共 18 条 记 录，以下是 1-10
郑雪峰
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 势垒层 氧化镓 场板 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩晓亮
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所
研究主题：可靠性 PMOSFET NBTI效应 界面态 GAAS_PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘红侠
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 总剂量 抗辐照 电路 栅氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵静
供职机构：信息产业部
研究主题：模拟开关 砷化镓 GAAS 单片 相关器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张利民
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MESFET GAAS表面 GA 击穿电压 击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王云生
供职机构：中华人民共和国工业和信息化部
研究主题：FET 半绝缘砷化镓 半绝缘GAAS 低频振荡 噪声性能
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胥兴才
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 LPCVD 掩模 氮化硅 光刻技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵玲莉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：LPCVD X射线光刻 氮化硅 氮化硅薄膜 可见光发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 掩模 干法刻蚀 深亚微米 X射线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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