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伍墨

作品数：5 被引量：25H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 20 条 记 录，以下是 1-10
杨辉
供职机构：中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 欧姆接触电极 紫外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱建军
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：氮化镓 GAN 衬底 激光器 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张宝顺
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 电极 HEMT器件 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁骏吾
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 GAN MOCVD 硅 多晶硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN MOCVD生长 ALGAN SI衬底 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
史永生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN 光荧光谱 MOVPE MOCVD生长 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金瑞琴
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN MOCVD 肖特基结构 响应度 紫外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘宗顺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 氮化镓基激光器 波导 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张纪才
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：ALN GAN 衬底 蓝宝石 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉田
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 X射线双晶衍射 GAN MOCVD 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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