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赵玲莉

作品数：9 被引量：29H指数：3
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叶甜春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
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胥兴才
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 LPCVD 掩模 氮化硅 光刻技术
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谢常青
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 X射线光刻 敏感膜 光刻 存储器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 掩模 干法刻蚀 深亚微米 X射线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙宝银
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化硅薄膜 LPCVD X射线光刻 氮化硅 可见光发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石万全
供职机构：中国科学院研究生院
研究主题：硅 离子注入 氮化硅 LPCVD 氮化硅薄膜
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陈梦真
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 光刻 掩模 光刻胶 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘渝珍
供职机构：中国科学院研究生院
研究主题：光致发光 快速退火 LPCVD RTA 硅
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韩敬东
供职机构：中国科学院
研究主题：X射线光刻 LPCVD 氮化硅 掩模 氮化硅膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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