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常玉璟

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 4个电子电信
  • 3个环境科学与工...
  • 3个理学
  • 1个电气工程
  • 1个一般工业技术
  • 1个文化科学

主题

  • 4个单晶
  • 4个英寸
  • 4个砷化镓
  • 4个砷化镓单晶
  • 4个位错
  • 4个位错密度
  • 4个晶体
  • 4个晶体生长
  • 4个半绝缘
  • 4个半绝缘砷化镓
  • 4个半绝缘砷化镓...
  • 4个VB
  • 3个载流子
  • 3个载流子浓度
  • 3个砷化镓材料
  • 3个漂移速度
  • 3个温度梯度
  • 3个SI
  • 3个EPD
  • 3个GAAS单晶

机构

  • 4个中国电子科技...
  • 1个天津大学
  • 1个电子部

资助

  • 2个国家部委资助...

传媒

  • 4个第十三届全国...
  • 3个半导体技术
  • 3个人工晶体学报
  • 3个科技创新导报
  • 2个电子工业专用...
  • 1个天津科技
  • 1个中国有色金属...

地区

  • 4个天津市
共 4 条 记 录，以下是 1-4
兰天平
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：VGF 砷化镓 位错密度 VB GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丰梅霞
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：VB 半绝缘砷化镓单晶 晶体生长 位错密度 砷化镓单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛沈军
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：位错密度 砷化镓 GAAS单晶 晶体生长 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建利
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：位错密度 GAAS晶体 VB EPD 漂移速度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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