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赵永梅

作品数：68 被引量：20H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

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  • 2个陕西省
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孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宁瑾
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电极 牺牲层 锚点 MEMS 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 谐振器 纳米尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵万顺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 外延层 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王雷
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 SIC 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 微装配 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩国威
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锚点 电极 MEMS 压电层 掩膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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