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赵凤瑷

作品数：10 被引量：54H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 18 条 记 录，以下是 1-10
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张春玲
供职机构：南开大学
研究主题：物理奥林匹克竞赛 量子点 物理实验 过饱和 外电场作用
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦春美
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 锌源 生长温度 氧化锌薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 分子束外延 衬底 砷化铟 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏宏源
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 不锈钢外壳 氧化锌薄膜 杆状 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范海波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：协变 衬底 氧化锌薄膜 硅基 衬底材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨少延
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董向芸
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 不锈钢外壳 氧化锌薄膜 开关时间 生长温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓沛
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 不锈钢外壳 氧化锌薄膜 开关时间 生长温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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