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高汉超

作品数:24 被引量:20H指数:3
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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领域

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主题

  • 26个分子束
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  • 12个氮化镓
  • 12个退火
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机构

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  • 1个中国电子科技...
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资助

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传媒

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地区

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  • 13个江苏省
  • 2个天津市
  • 2个甘肃省
  • 1个吉林省
33 条 记 录,以下是 1-10
陈弘
供职机构:中国汽车技术研究中心
研究主题:汽车碰撞试验 汽车试验 发光二极管 多量子阱 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋中伟
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:分子束外延 GAAS INAS量子点 砷化镓 红外探测器材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周均铭
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 分子束外延 多量子阱 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹志军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:分子束外延 GAAS 二维电子气 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘宝利
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:分子束外延 GAAS 衬底 多量子阱 旋钮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘林生
供职机构:兰州大学
研究主题:分子束外延 GAAS 砷化镓 磁化强度 磁导率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵宏鸣
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:分子束外延 GAAS 光荧光谱 光学特性 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王佳
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:分子束外延 GAAS 光荧光谱 光学特性 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘肃
供职机构:兰州大学
研究主题:静电感应器件 SITH 静电感应晶闸管 单晶 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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