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陈正才

作品数：9 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 21个电子电信
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主题

  • 21个SOI
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  • 14个导通
  • 14个导通电阻
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  • 10个多晶
  • 10个多晶硅
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  • 10个漂移
  • 8个导电

机构

  • 13个中国电子科技...
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资助

  • 12个国家自然科学...
  • 7个中国博士后科...
  • 5个国家重点实验...
  • 4个广东省自然科...
  • 4个军事电子预研...
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  • 4个中央高校基本...
  • 3个国防科技重点...
  • 3个国家重点基础...
  • 3个广东省重大科...
  • 3个教育部“新世...
  • 2个国防基础科研...
  • 2个国防科技技术...
  • 2个国家高技术研...
  • 2个四川省青年科...
  • 2个博士科研启动...
  • 2个广东省科技计...
  • 2个国家教育部博...

传媒

  • 16个电子与封装
  • 10个微电子学
  • 8个Journa...
  • 7个物理学报
  • 7个固体电子学研...
  • 6个信息与电子工...
  • 6个第十五届全国...
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  • 4个电子器件
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  • 3个材料导报（纳...
  • 2个哈尔滨工业大...
  • 2个半导体情报

地区

  • 11个江苏省
  • 11个四川省
  • 1个广东省
共 23 条 记 录，以下是 1-10
徐静
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 反熔丝 抗辐射 CMOS工艺 总剂量辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖志强
供职机构：电子科技大学
研究主题：SOI 互联 抗辐射 总剂量 LDMOS
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洪根深
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 反熔丝 总剂量 单粒子 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高向东
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射 抗辐射 总剂量 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗小蓉
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 关断损耗 槽栅 LIGBT SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周淼
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射 击穿电压 SOI_LDMOS 比导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
洪根生
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 微电子 熔丝 衬底 掩蔽层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高唤梅
供职机构：电子科技大学
研究主题：SOI 材料制备技术 半导体 厚膜 功率集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张伟
供职机构：电子科技大学
研究主题：井下 测井仪 声波 测井数据 干扰信号
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王栋
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 冷备份 背栅效应 背栅 负电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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