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赵元富

作品数：138 被引量：118H指数：6
供职机构：西安电子科技大学更多>>
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严荣良
供职机构：中国科学院新疆物理研究所
研究主题：电离辐射 MOS器件 运算放大器 F 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国强
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：电离辐射 F MOSFET 界面态 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任迪远
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：电离辐射 剂量率 退火 剂量率效应 运算放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马晓华
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 势垒层 高电子迁移率晶体管 栅电极 氧化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余学锋
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：电离辐射 运算放大器 界面态 CMOS运算放大器 F
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡浴红
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：CMOS运算放大器 F CMOS 运算放大器 电离辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆小力
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：氧化镓 功率二极管 掺杂 自支撑 阳极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何云龙
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：氧化镓 电极 增强型 栅电极 功率二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
岳素格
供职机构：中国航天北京微电子技术研究所
研究主题：单粒子翻转 单粒子 单粒子效应 CMOS图像传感器 锁存器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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