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安霞

作品数：120 被引量：25H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

合作作者

领域

  • 40个电子电信
  • 16个自动化与计算...
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  • 10个经济管理
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  • 4个电气工程
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主题

  • 32个电路
  • 32个沟道
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  • 25个场效应
  • 25个场效应晶体管
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  • 22个超大规模集成
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  • 17个总剂量
  • 16个势垒

机构

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  • 2个中国科学院
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  • 1个安徽医科大学
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  • 1个安徽医科大学...
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  • 1个军事医学科学...
  • 1个辽宁医学院
  • 1个宁夏大学

资助

  • 23个国家自然科学...
  • 22个国家重点基础...
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  • 5个国家教育部博...
  • 4个国家高技术研...
  • 3个高等学校国家...
  • 3个中央高校基本...
  • 2个北京市自然科...
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传媒

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地区

  • 39个北京市
  • 1个吉林省
共 40 条 记 录，以下是 1-10
黄如
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 沟道 晶体管 存储器 超大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张兴
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 集成电路 沟道 电路 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黎明
供职机构：北京大学
研究主题：晶体管 半导体结构 倒片 沟道 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林猛
供职机构：北京大学
研究主题：锗 衬底 界面态密度 淀积 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭斐
供职机构：北京大学
研究主题：SOI器件 沟道 CMOS器件 背栅 泄漏电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭岳
供职机构：北京大学
研究主题：锗 超大规模集成电路 衬底材料 NMOS器件 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
云全新
供职机构：北京大学
研究主题：锗 场效应晶体管 迁移率 沟道 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨东
供职机构：北京大学
研究主题：沟道 电荷 CMOS器件 界面态 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
武唯康
供职机构：北京大学
研究主题：SOI器件 掺杂 场效应晶体管 背栅 隔离区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄良喜
供职机构：北京大学
研究主题：偏置 SOI器件 掺杂 SOI 阈值电压漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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