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梁栋

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
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合作作者

领域

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地区

  • 12个河北省
共 12 条 记 录，以下是 1-10
冯志宏
供职机构：专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题：SI衬底 氮化镓 功率密度 异质结 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹甲运
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 场效应晶体管 氮化物 衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁凤坡
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 SI衬底 HEMT GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘波
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：SI衬底 ALGAN ALN 晶圆片 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨克武
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：HFET 微波器件 内匹配 X波段 SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李效白
供职机构：专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题：HFET 集成电路 GAN 电流崩塌 2DEG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
默江辉
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：SIC_MESFET 微波器件 功率器件 场板 夹具
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡树军
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微波器件 GAN SIC_MESFET MMIC 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王勇
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：GAN SIC_MESFET X波段 输出功率 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯震
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：X波段 输出功率 SIC_MESFET HFET ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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