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张仁平

作品数：5 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
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合作作者

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 11个北京市
共 11 条 记 录，以下是 1-10
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 谐振器 纳米尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张杨
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 电子束曝光 生物传感器 隔离层 锑化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜彦东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体 ALGAN/GAN_HEMT 硅纳米线 硅衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
颜伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：晶体管 场效应晶体管 抗蚀剂 天线 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩伟华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 晶体管 纳米线 硅纳米线 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张严波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：神经元电路 硅纳米线 树突 纳米线 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊莹
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：神经元电路 脉冲耦合 树突 频率可调 硅纳米线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗卫军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 HEMT 金属 GAN ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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