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孙虹

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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合作作者

领域

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地区

  • 20个北京市
共 20 条 记 录，以下是 1-10
梁平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子级联激光器 量子级联 红外探测器 半绝缘 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘俊岐
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子级联激光器 波导 量子级联 欧姆接触 太赫兹量子级联激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡颖
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子级联激光器 量子级联 半绝缘 电极 太赫兹量子级联激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭瑜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子级联激光器 欧姆接触 波导 单模 铟镓砷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘峰奇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子级联激光器 波导 量子级联 量子点 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
路秀真
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子级联激光器 分子束外延 二氧化硅 电极 湿法腐蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李路
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子级联激光器 量子级联 波导 欧姆接触 激光器结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈涌海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 衬底 协变 光学 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐寿定
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电学性质 SI-GAAS单晶 SI-GAAS 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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