您的位置： 专家智库 > >

胡卫国

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 8个电子电信
  • 7个理学
  • 4个化学工程
  • 4个一般工业技术
  • 3个金属学及工艺
  • 2个电气工程
  • 1个经济管理
  • 1个机械工程
  • 1个自动化与计算...
  • 1个核科学技术
  • 1个文化科学

主题

  • 7个退火
  • 7个纳米
  • 6个氮化
  • 5个单晶
  • 5个氮化物
  • 4个氮化铝
  • 4个氮化镓
  • 4个氮化镓薄膜
  • 4个导体
  • 4个电学
  • 4个电学性质
  • 4个电子器件
  • 4个氧化锌薄膜
  • 4个氧化锌纳米
  • 3个单晶材料
  • 3个氮化层
  • 3个氮化镓基发光...
  • 3个导热
  • 3个低维结构
  • 3个电器件

机构

  • 7个中国科学院
  • 1个北京大学
  • 1个武汉大学

资助

  • 8个国家自然科学...
  • 3个国家重点基础...
  • 1个辐射物理及技...
  • 1个国家高技术研...
  • 1个湖北省自然科...
  • 1个教育部留学回...
  • 1个河北省高等学...

传媒

  • 6个Journa...
  • 6个人工晶体学报
  • 3个物理学报
  • 3个第十四届全国...
  • 2个发光学报
  • 2个2004年高...
  • 2个第十届全国M...
  • 2个中国有色金属...
  • 1个科学通报
  • 1个工程热物理学...
  • 1个电子技术应用
  • 1个北京大学学报...
  • 1个材料保护
  • 1个武汉大学学报...
  • 1个核技术
  • 1个光子学报
  • 1个功能材料
  • 1个高技术通讯
  • 1个核科学与工程
  • 1个中国科学（E...

地区

  • 7个北京市
  • 1个湖北省
共 8 条 记 录，以下是 1-8
刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏鸿源
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：非极性 氮化镓 锌源 氮化铝 铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦春美
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 锌源 生长温度 氧化锌薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康亭亭
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：催化法 铟 氢 氮化铟 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王柱
供职机构：武汉大学
研究主题：正电子湮没 正电子 正电子寿命 GASB 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴洁君
供职机构：北京大学
研究主题：厚膜 氮化物 衬底 籽晶 坩埚
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张日清
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：INN薄膜 ALN TEMPLATE NANOCRYSTALS 盖层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张攀峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氧化锌薄膜 衬底 生长温度 氧化锌纳米棒 锌源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0