2024年12月27日
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杨谟华
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H指数:7
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电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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合作作者
于奇
电子科技大学微电子与固体电子学...
李竞春
电子科技大学微电子与固体电子学...
杜江锋
电子科技大学微电子与固体电子学...
王向展
电子科技大学微电子与固体电子学...
罗谦
电子科技大学微电子与固体电子学...
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于奇
供职机构:电子科技大学
研究主题:氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
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李竞春
供职机构:电子科技大学
研究主题:SIGE MOS器件 CMOS 沟道 SIGE_HBT
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杜江锋
供职机构:电子科技大学
研究主题:氮化镓 异质结场效应晶体管 肖特基接触 势垒 铝镓氮
发表作品
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罗谦
供职机构:电子科技大学
研究主题:肖特基接触 击穿特性 导通 HEMT器件 氮化镓
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王向展
供职机构:电子科技大学
研究主题:栅氧化层 沟道 半导体技术 电流 本征
发表作品
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宁宁
供职机构:电子科技大学
研究主题:模拟集成电路 模数转换器 电容 比较器 模拟数字转换
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靳翀
供职机构:电子科技大学
研究主题:表面态 电流崩塌 GAN 高电子迁移率晶体管 电场分布
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夏建新
供职机构:电子科技大学
研究主题:GAN 表面态 电流崩塌 高电子迁移率晶体管 肖特基接触
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谭开洲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
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周伟
供职机构:电子科技大学
研究主题:表面态 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 氮化镓 微波
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