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李竞春

作品数:69 被引量:73H指数:5
供职机构:电子科技大学更多>>
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领域

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地区

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70 条 记 录,以下是 1-10
于奇
供职机构:电子科技大学
研究主题:氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向展
供职机构:电子科技大学
研究主题:栅氧化层 沟道 半导体技术 电流 本征
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题:SIGE 电流崩塌 表面态 CMOS GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨洪东
供职机构:电子科技大学
研究主题:锗硅 互补金属氧化物半导体 CMOS器件 沟道 微米工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构:中国电子科技集团
研究主题:SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗谦
供职机构:电子科技大学
研究主题:肖特基接触 击穿特性 导通 HEMT器件 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宁宁
供职机构:电子科技大学
研究主题:模拟集成电路 模数转换器 电容 比较器 模拟数字转换
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周谦
供职机构:电子科技大学微电子与固体电子学院
研究主题:SIGE 离子注入 HBT SIGE_HBT 相位噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王生荣
供职机构:电子科技大学
研究主题:SIGE SIGE_HBT HBT BICMOS 解析模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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