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张国义
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H指数:11
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北京大学
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合作作者
杨志坚
宽禁带半导体研究中心北京100...
于彤军
宽禁带半导体研究中心北京100...
陈志忠
宽禁带半导体研究中心北京100...
秦志新
宽禁带半导体研究中心北京100...
童玉珍
宽禁带半导体研究中心北京100...
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杨志坚
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底
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于彤军
供职机构:北京大学
研究主题:衬底 厚膜 GAN 氮化镓 籽晶
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陈志忠
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 发光二极管 衬底 出光效率
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秦志新
供职机构:北京大学
研究主题:位错 氮化镓 ALGAN ALN 欧姆接触
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童玉珍
供职机构:北京大学物理学院
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD生长 MOCVD INGAN
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康香宁
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 衬底 出光效率 ALGAN 激光剥离
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沈波
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 GAN 氮化物 位错 成核
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胡晓东
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:GAN 氮化镓 GAN基激光器 氮化物 MOCVD
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吴洁君
供职机构:北京大学
研究主题:厚膜 氮化物 衬底 籽晶 坩埚
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章蓓
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 激光剥离 发光二极管 氮化镓 半导体
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