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陈维德

作品数：61 被引量：126H指数：7
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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许振嘉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅化物 砷化镓 欧姆接触 光致发光 INP
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陈长勇
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：掺铒 A-SI 微结构 光致发光 铒
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宋淑芳
供职机构：北京交通大学
研究主题：纳米ZNO薄膜 GAN薄膜 光致发光 GAN 掺铒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卞留芳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN 掺铒 GAN薄膜 EU 铒
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崔玉德
供职机构：中国科学院
研究主题：砷化镓 快速热退火 蓝宝石 X 俄歇电子能谱
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王永谦
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：微结构 H A-SI 光致发光 X
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张春光
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN薄膜 GAN EU 铕 RAMAN散射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁建军
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 掺铒 氧含量 铒 A-SI:H
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顾诠
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 俄歇电子能谱 蓝宝石 氧化铝 钛
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金高龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 金属半导体 表面钝化 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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