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罗昌平

作品数：9 被引量：2H指数：1
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徐仲英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江德生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 砷化镓 衬底 量子点 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许继宗
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 自组织生长 砷化铟 MBE 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑宝真
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 光致发光 INGAAS/GAAS 自组织生长 砷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张耀辉
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：超晶格 聚光器 砷化镓 聚光 空间光调制器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金世荣
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：起偏器 半导体 INGAAS/GAAS 光学系统 步进马达
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁之良
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 INGAAS/GAAS 激子 量子线 GAAS/ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
褚君浩
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：铁电 铁电薄膜 红外探测器 HGCDTE HG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗晋生
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院微电子技术研究所
研究主题：砷化镓 双极晶体管 X GAAS HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
庄蔚华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 超晶格 砷化镓 分子束外延 伏法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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