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徐静平

作品数:133 被引量:192H指数:6
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖北省自然科学基金山东省教育厅科技计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>

领域

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主题

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  • 45个传感
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机构

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  • 2个聊城师范学院
  • 2个武汉大学
  • 2个浙江大学
  • 2个武汉工业大学
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  • 1个北京邮电大学
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资助

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传媒

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  • 10个电子技术应用
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  • 9个材料导报
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地区

  • 85个湖北省
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  • 4个湖南省
  • 3个北京市
  • 3个山东省
  • 2个河南省
  • 1个安徽省
  • 1个天津市
  • 1个浙江省
  • 1个广西
112 条 记 录,以下是 1-10
钟德刚
供职机构:浙江工业大学
研究主题:异步电动机 光信号 永磁同步电机 转子 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹晓
供职机构:华中科技大学
研究主题:界面层 MOS电容 栅介质 高K栅介质 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈卫兵
供职机构:湖南工业大学计算机与通信学院
研究主题:高K栅介质 MOSFET 阈值电压 短沟道效应 电路设计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余岳辉
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院
研究主题:RSD 晶闸管 反向开关晶体管 脉冲功率 半导体开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于军
供职机构:华中科技大学
研究主题:铁电薄膜 铁电 铁电性能 铁电存储器 巨磁电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李艳萍
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系
研究主题:MOSFET 高K栅介质 阈值电压 短沟道效应 阈值电压模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈涛
供职机构:华中理工大学电子科学与技术系
研究主题:晶闸管 多晶硅膜 多晶硅 WO 气敏元件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黎沛涛
供职机构:香港大学
研究主题:SIC N-MOSFET 电特性 N SIO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李春霞
供职机构:香港大学
研究主题:栅介质 6H-SIC SIC 界面态密度 电特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
季峰
供职机构:华中科技大学
研究主题:高K栅介质 阈值电压 MOS器件 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 HFO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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