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徐应强

作品数：169 被引量：118H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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牛智川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 GAAS 超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王国伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 红外探测器 探测器 INAS/GASB超晶格 锑化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张宇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化物 半导体激光器 中红外 波导 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任正伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 INAS/GASB超晶格 分子束外延 盖层 红外光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪海桥
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 分子束外延 GAAS 探测器 纳米线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
向伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：INAS/GASB超晶格 超晶格 分子束外延生长 锑化物 SB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢军亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化物 超晶格材料 分子束外延 INAS/GASB超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王娟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化物 超晶格材料 INAS/GASB超晶格 分子束外延生长 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝瑞亭
供职机构：云南师范大学物理与电子信息学院
研究主题：铜锌 分子束外延 太阳电池 超晶格 INAS/GASB超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴荣汉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 多量子阱 GAAS 垂直腔面发射激光器 GAAS/GAALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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