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张攀峰

作品数：12 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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合作作者

领域

  • 15个电子电信
  • 11个理学
  • 6个一般工业技术
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主题

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  • 14个纳米
  • 13个MOCVD
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  • 10个氧化锌
  • 10个氧化锌纳米
  • 10个金属有机物
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  • 9个氧化锌纳米棒
  • 9个金属有机物化...
  • 8个氮化镓
  • 8个电子器件
  • 7个氮化
  • 7个氮化镓薄膜
  • 7个电学
  • 7个多量子阱

机构

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资助

  • 13个国家自然科学...
  • 10个国家重点基础...
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传媒

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  • 4个第十一届全国...
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  • 2个光子学报
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  • 2个稀有金属
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  • 2个真空科学与技...

地区

  • 17个北京市
  • 1个山东省
共 18 条 记 录，以下是 1-10
刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏鸿源
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：非极性 氮化镓 锌源 氮化铝 铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范海波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：协变 衬底 氧化锌薄膜 硅基 衬底材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨少延
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦春美
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 锌源 生长温度 氧化锌薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱勤生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：镓 铟 非极性 金属有机化合物 锌源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡芳芳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氧化锌纳米棒 MOCVD生长 MOCVD P型掺杂 高结晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏宏源
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 不锈钢外壳 氧化锌薄膜 杆状 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵凤瑷
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 半导体量子点 衬底 不锈钢外壳 INP基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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