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申华军

作品数：104 被引量：49H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨成樾
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 肖特基二极管 微波等离子体 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白云
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 微波等离子体 肖特基二极管 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汤益丹
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 微波等离子体 含氧气体 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周静涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：肖特基二极管 硅基 肖特基 太赫兹 垂直腔面发射激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘焕明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SUB 硅基 钝化层 离子注入工艺 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN HEMT INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 二次谐波 绝缘体上硅 埋氧层 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谦
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 掩模 刻蚀 衬底 场板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王显泰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS_HBT 功率放大器 磷化铟 金属 INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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