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杨建坤

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

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地区

  • 4个北京市
  • 1个四川省
共 5 条 记 录，以下是 1-5
霍自强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 反应管 厚膜 蓝宝石 石英
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡强
供职机构：四川大学
研究主题：衬底 进气 中子嬗变掺杂 厚膜 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段瑞飞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氢化物气相外延 衬底 厚膜 GAN 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏同波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 衬底 氮化镓 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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