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王雷

作品数:142 被引量:35H指数:4
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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领域

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51 条 记 录,以下是 1-10
孙国胜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵万顺
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 3C-SIC 衬底 外延层 4H-SIC
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曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
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刘兴昉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
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闫果果
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 外延层 衬底 硅源 碳化硅衬底
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李晋闽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
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张峰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 衬底 掺杂 硅源 沟槽
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赵永梅
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 3C-SIC 衬底 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘斌
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 半导体激光器 真空系统 衬底 薄膜生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗木昌
供职机构:中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题:3C-SIC SI衬底 日盲紫外 ALGAN P型GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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