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李忠辉

作品数：101 被引量：85H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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董逊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
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彭大青
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 GAN SIC衬底 氮化镓
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张东国
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 SIC衬底 二维电子气 GAN
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李亮
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 二维电子气 ALGAN ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN ALGAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
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陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
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陈辰
供职机构：东南大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
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李传皓
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC衬底 MOCVD ALN 金属有机物化学气相沉积 GAN薄膜
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罗伟科
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN薄膜 MOCVD SIC衬底 金属有机物化学气相沉积 晶体质量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨乾坤
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：ALN MOCVD 金属有机物化学气相沉积 GAN SIC衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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