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李博
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230
被引量:28
H指数:3
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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合作作者
韩郑生
中国科学院微电子研究所
罗家俊
中国科学院微电子研究所
王磊
中国科学院微电子研究所
赵发展
中国科学院微电子研究所
刘海南
中国科学院微电子研究所
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韩郑生
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
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罗家俊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
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王磊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:二次谐波 临界态 光刻胶 硅片 厚层
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赵发展
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SRAM 电路 半导体器件 漏极 单粒子翻转
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刘海南
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:集成电路 输入端 存储器 单粒子 单粒子翻转
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卜建辉
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:建模方法 SOI MOS器件 半导体器件 模型参数
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宿晓慧
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SRAM 单粒子瞬态脉冲 脉冲宽度测量 测量电路 反相器
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李博
供职机构:中国科学院
研究主题:总剂量效应 单粒子效应 场效应晶体管 磁共振脑功能成像 激光雷达
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李多力
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:埋氧层 SOI 绝缘体上硅 隔离区 沟道
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滕瑞
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:单粒子效应 二次谐波 集成电路 测量方法 测试系统
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