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霍自强

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 12 条 记 录，以下是 1-10
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏同波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 衬底 氮化镓 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段瑞飞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氢化物气相外延 衬底 厚膜 GAN 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡强
供职机构：四川大学
研究主题：衬底 进气 中子嬗变掺杂 厚膜 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
羊建坤
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 多量子阱 板层 反应气体 厚膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李丽娟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 反应管 石英 工作温度 氧化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨建坤
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 氢化物气相外延 大尺寸 氮化硅膜 厚膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹玉华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 亚表面损伤层 抛光晶片 抛光 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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