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徐娜军

作品数：8 被引量：25H指数：3
供职机构：西北核技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

领域

  • 19个电子电信
  • 17个理学
  • 13个自动化与计算...
  • 12个核科学技术
  • 11个航空宇航科学...
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  • 1个建筑科学
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  • 1个环境科学与工...
  • 1个自然科学总论

主题

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  • 12个低剂量率
  • 11个单粒子
  • 11个电离辐射
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  • 10个单粒子效应
  • 10个电离辐射效应
  • 9个电离辐照
  • 9个电子系统
  • 8个单粒子翻转
  • 8个电离
  • 8个电流
  • 8个亚微米
  • 6个等效性
  • 6个地面模拟试验
  • 6个电荷泵
  • 6个对齐
  • 6个数值模拟

机构

  • 12个西北核技术研...
  • 8个西安电子科技...
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资助

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  • 4个国家高技术研...
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传媒

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地区

  • 17个陕西省
  • 2个上海市
共 19 条 记 录，以下是 1-10
郭晓强
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：单粒子效应 单粒子翻转 辐照 单粒子 中子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宝平
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 总剂量 辐照 测试系统 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈伟
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：单粒子效应 单粒子翻转 辐照 单粒子 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李斌
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：辐照 电子系统 单粒子效应 中子 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张廷庆
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘家璐
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王剑屏
供职机构：中芯国际集成电路制造有限公司
研究主题：碳化硅 MOS器件 金属-氧化物-半导体器件 辐照效应 阈值电压漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚志斌
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 总剂量 辐照 测试系统 单粒子效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁李利
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：单粒子效应 单粒子 单粒子翻转 重离子 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭宏论
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 MOS器件 半导体器件 辐照效应 大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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