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高剑侠

作品数：20 被引量：32H指数：3
供职机构：中国科学院上海原子核研究所上海应用物理研究所更多>>
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地区

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严荣良
供职机构：中国科学院新疆物理研究所
研究主题：电离辐射 MOS器件 运算放大器 界面态 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任迪远
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：电离辐射 剂量率 退火 剂量率效应 运算放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林成鲁
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 SOI 硅 SIMOX 铁电薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余学锋
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：电离辐射 运算放大器 界面态 CMOS运算放大器 F
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
竺士炀
供职机构：复旦大学
研究主题：SOI SIMOX 辐照特性 多孔硅 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国强
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：电离辐射 F MOSFET 界面态 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李金华
供职机构：常州大学
研究主题：离子束增强沉积 溶胶-凝胶法 二氧化钒薄膜 SIMOX 氧化钒薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱德彰
供职机构：中国科学院上海应用物理研究所
研究主题：碳纳米管 离子注入 离子束 硅 单晶硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王连卫
供职机构：华东师范大学
研究主题：微通道板 硅 多孔硅 微通道 电化学刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周祖尧
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 硅 离子束 离子束增强沉积 P
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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