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王海

作品数：13 被引量：18H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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杨辉
供职机构：中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 欧姆接触电极 紫外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段俐宏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN MOCVD 紫外探测器 砷化镓 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱建军
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：氮化镓 GAN 衬底 激光器 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张书明
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：氮化镓 GAN 欧姆接触电极 氮化镓基发光二极管 氮化镓基激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵德刚
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 紫外探测器 衬底 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
史永生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN 光荧光谱 MOVPE MOCVD生长 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁骏吾
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 GAN MOCVD 硅 多晶硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯志宏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN 立方相 氮化镓 MOCVD 立方相GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周增圻
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MBE生长 分子束外延 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林耀望
供职机构：南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室
研究主题：砷化镓 GAAS MBE生长 分子束外延 INGAAS/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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